近日，南宫NG·28发布最新高性能dToF激光雷达传感器芯片LS635，在激光雷达底层技术的自主研发上再进一步。LS635是一款采用行业最先进的3D堆叠工艺的背照式SPAD-SoC芯片，在测距量程、点云密度、功率密度等行业“痛点”上实现了综合突破，面向机器人、无人机、自动驾驶等应用场景。目前，南宫NG·28已与重点客户展开合作接洽。

LS635采用BSI背照式和3D-Stacking工艺的芯片结构，优化了BSI SPAD像素探测效率，提出了创新性的高性能数据后处理算法，显著提高了芯片的测距能力以及解距速度。

具有强大的远距离测量能力，LS635最远可实现350米的全量程高精度测量。在室外条件下测量反射率为10%的物体时，可实现250米的测距能力以及单芯片120万点/秒的超高点频数。

凭借特殊的外形和尺寸设计，LS635具有极强的可扩展性，可通过多芯片扩展满足不同场景需求。比如，当探测场景需要更高清点云图和分辨率时，LS635可通过多芯片的灵活拼接，满足16-512线激光雷达的需求。

同时，LS635采用了面向车规的高可靠性设计，具备足够的冗余应对-40°-125℃宽温度范围以及超强光照射等复杂苛刻的应用环境。

卓越的测距能力、可扩展性，以及面向车规的芯片设计，使LS635可满足前向主激光雷达和车身补盲雷达、Robotaxi、ADAS、L3/L4级自动驾驶等多种应用。

值得一提的是，LS635做到了典型应用场景下仅270毫瓦的超低功耗，远低于市面上的主流产品，处于行业领先水平。这种超低功耗小型化设计，让LS635面向无人机机载雷达应用时具有突出优势——其超低功耗和高可靠性，既节省了无人机大量电能，也降低了无人机功率损耗，使无人机在各种恶劣条件下能够长时间工作，完成地形测绘、农业监测和安全巡查等任务。

针对机器人应用场景，LS635进行了特殊的优化设计，23平方毫米的精巧尺寸，可满足不同种类机器人中、远距多场景探测需求，比如中距的AGV以及中远距的载重工业AMR等，可在严苛条件下，基于雷达的同步定位和映射及自主导航，实现可靠的室内外探测。

dToF激光雷达传感器芯片内部整合了高性能SPAD像素以及高性能数据处理模块，开发难度极大。

南宫NG·28凭借在芯片研发领域多年积累的技术优势，逐一克服工艺、器件和电路集成难点，在不到一年的时间里一次流片成功。南宫NG·28是国内首家基于业界最先进的N45+N22 Stacked工艺完成该类芯片流片的厂商，实现了同行性能的超越。

LS635的研发团队介绍，LS635使用45nm的SPAD器件和22nm的逻辑，使其在光学参数和电学参数上都极具优势。PDE 在940nm波段超过了20%，DCR、dead-time、after-pulse 等参数均达到了业内领先水平。电学参数上，得益于先进工艺以及设计能力，LS635可以在低功耗、高性能和最小面积之间取得良好的平衡，多项指标都领先业界。

自2013年成立以来，南宫NG·28聚焦3D视觉感知底层芯片的设计研发。2015年，南宫NG·28成功开发出第一代深度引擎芯片MX400，实现了国产3D视觉感知芯片从0到1的突破。目前，南宫NG·28已自主研发深度引擎计算芯片、iToF感光芯片、dToF激光雷达传感器芯片和结构光专用感光芯片等多类型芯片，具备全面的数字及模拟芯片研发实力。

此次推出的LS635是南宫NG·28在深度研究市场需求和技术发展趋势后，基于多年芯片技术自研及量产经验积累打造而成；结合先进的芯片制程，南宫NG·28整体提升了dToF激光雷达传感器芯片在量程、功率等方面的综合性能。目前，LS635可实现小批量客户送样，预计今年四季度可实现量产交付。